AlN相关论文
随着集成电路的发展,互连中的RC延迟、动态功耗与串扰噪声对器件性能的影响变得越来越大。Cu/low-κ的组合可以成功降低这些影响。......
聚偏氟乙烯（PVDF）及其共聚物因具有高介电常数而备受关注，然而高电场下严重极化损耗和电导损耗限制了其更广泛的应用。在该研究中，应用......
研制了一种高集成、高散热、多功能一体化微波收发系统级封装（SiP）模块。该SiP模块工作频率为8.5～10.5 GHz,内部集成高功率放大、功率......
期刊
宽禁带半导体材料因其具有高击穿电场、良好的导热性、高的电子饱和率和抗辐射性能等特点,已成为开发高频率、高功率、耐高温和抗......
该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器（HBAR）,研究了钪（Sc）掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明，当掺......
图形化GaN、AlN或蓝宝石衬底,已被业内证明是提高薄膜质量的有效方法,而激光作为单步制备微/纳米结构的一种新方法已应用于很多领......
AlN因为优异的物理化学性质被人们广泛研究,且AlN纳米材料更是在光学、电学和磁学等纳米器件上有着潜在的应用价值。本文采用第一......
AlN单晶薄膜是重要的第三代半导体材料,具有宽带隙、耐辐射、耐高温等特点,广泛用于制备半导体发光器件和功率器件。金属有机化学......
AlN单晶薄膜是一种重要的半导体材料,具有宽带隙、高击穿电压、耐高温、耐腐蚀的优良特性,是制备蓝紫光发光二极管、大功率电力电......
为改善氮化硅陶瓷的热导率和抗热震性能，以d50=0.5 μm的α-Si3N4为原料，AlN(d50=1 μm)为添加剂，Y2O3和MgO(d50=5 μm，d50=10 μm)为......
随着科技的不断进步,深紫外波段的半导体激光器有望应用于光存储、军事医疗、卫星通信、杀菌消毒、分析仪器等领域。在全球新冠疫......
声表面波（Surface Acoustic Wave,SAW）传感器是利用压电效应和声表面波传播的物理特性制成的MEMS器件。传统Si基MEMS应变传感器无法......
主要从烧结技术和烧结助剂对AlN陶瓷性能影响方面综述了AlN陶瓷的研究进展，指出了AlN陶瓷在制备及应用过程中存在的问题，展望了AlN陶......
设计了一种基于氮化铝(AlN)材料的压电连续面型变形镜，采用理论分析和COMSOL仿真对该AlN MEMS变形镜的结构进行了优化，拟合了前14项Z......
在蓝宝石衬底上采用由低温AlN成核层、中温AlN生长层、温度渐变AlN生长层和高温AlN生长层组成的厚三维生长缓冲层来实现AlN外延层......
使用FEMAG晶体生长模拟仿真软件以及自主开发的PVT法有限元传质模块对全自动、双电阻加热物理气相沉积炉开展了AlN晶体生长工艺过......
采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN, 并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所......
陶瓷材料由于其优异的性质广泛地应用于各个领域。然而，由于陶瓷自身脆性限制了其应用。近年来，人们发现非晶结构可改善陶瓷的脆性，但......
氮化铝(AlN)作为第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，介电常数小，电子漂移速率较高，导热率高，化学性质稳定等许多优良的特性，是深紫......
采用不同TiB2、BN、AlN体积配比制备TiB2-BN-AlN复相陶瓷,研究了TiB2、BN、AlN含量的变化对复相陶瓷烧结致密度、组织结构和性能的......
使用自主研发的钨系统中频感应加热炉对AlN粉料进行了烧结提纯处理实验,并用XRD、SEM、IGA和GDMS等表征方法分析了烧结后的样品。......
高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)内部的自生热是影响器件功能的重要因素,为改善器件的散热性能,采用AlN膜做钝化层研制了基......
采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)研究了Al金属插入层对Si(111)衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明,Al插入层可改善AlN外延......
采用低温AlN成核层,在Si(111)衬底上,用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长了GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射(XRD)、椭圆偏振光谱仪......
在蓝宝石(Al2O3)衬底上应用脉冲激光沉积技术(PLD)生长不同厚度的AlN缓冲层后进行GaN薄膜外延生长。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)......
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究......
基于密度泛函理论第一性原理的平面波超软赝势,采用广义梯度近似及Heyd-Scuseria-Ernzerhof 03(HSE03)方法对能带及态密度进行修正......
介绍了氮化铝(AlN)陶瓷激光金属化的进展和金属化过程中的问题以及主要解决方法。激光金属化利用激光的热效应使AlN表面发生热分解......
利用数值模拟方法,结合反应动力学和气体输运过程,研究喷淋式MOCVD反应器中AlN的生长速率和气相反应路径与反应前体流量(NH3和H2)......
纳米AlN颗粒作为Al的衍生化合物具有不与Al发生界面反应等优点,因此可作为具有潜力的增强体。本课题选择纳米AlN颗粒作为增强体,60......
氮化铝(AlN)作为一种超宽禁带半导体材料,得益于其优异的光电性能和稳定性,十分适合制备深紫外光电子、高功率和微波射频器件,在紫......
AlN因为优异的物理化学性质被人们广泛研究,且AlN纳米材料更是在光学、电学和磁学等纳米器件上有着潜在的应用价值。本文采用第一......
近年来,低维(例如一维和二维)第三代半导体材料具有新颖的物理、化学特性,其在纳米光电器件等诸多领域展现出了广阔的应用前景。Al......
氮化铝（AlN）半导体薄膜具有能带间隙宽（6.2eV）、化学键能强、导热性能好以及热膨胀系数小等特点,广泛应用于蓝光LED和紫外光电器件的制......
AlN具有宽直接带隙、耐辐射、耐高温、高击穿场强等特点,是重要的第三代半导体材料,广泛用于制备半导体激光器(LD)、高亮度发光二......
氮化铝（AlN）是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体薄膜材料,广泛应用于制备高亮度LED、紫外探测器和高频大功率器件。金属有机气相化学沉......
集成电路制造行业已经进入7nm技术节点,互连中的RC延迟、动态功耗与串扰噪声是影响器件性能的重要因素,工业界采用Cu/low-κ的互连......
AlN粉末和陶瓷以其高热导率、低介电常数以及与硅相近的热膨胀系数等优异的物化性能成为电子封装和高功率器件行业最具潜力的材料......
为了应对更多的通讯标准和不断增长的带宽需求,现代无线通信系统的收发器中使用了大量的滤波器来处理日益增多的传输频段,作为滤波......
Spherical AlN powders with micrometer size have attracted great attention owing to their good fluidity and dispersity. H......
通过数值技术及实验手段研究了含有球形氮化铝(AlN)导热填料的有机灌封硅橡胶的导热性能。采用随机序列吸附(RSA)方法,建立了AlN增......
用射频磁控反应溅射方法，在高纯Ｎ２、Ａｒ（纯度均为９９．９９９％）的气氛中，以高纯Ａｌ为靶材，成功地制备了ＡｌＮ薄膜．研究了不同气体组分、不同衬底温度对薄膜结晶性的......
目的:探讨重组人甲状旁腺素(parathyroid hormone,PTH)和阿仑膦酸钠(alendronate,ALN)对绝经后骨质疏松患者身体成分的影响。方法:......
